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四氟化鍺 GeF4  7783-58-6   6N 

是一類重要的無機化合物，在半導體領域，其主要用于摻雜和離子注入環節，四氟化鍺可以與乙硅烷氣體結合，直接在玻璃基底上制造硅鍺微晶，進而用于制造低噪聲低溫放大器、整流器、振蕩器等半導體器件；在光學領域，四氟化鍺可作為添加劑用于光學玻璃制造場景，發揮著改善光學玻璃折射率與色散性能作用，還可作為原材料用于光學纖維、光學薄膜制造場景。

三氟化氮   NF3  7783-54-2   

NF3的三個主要用途，一是用作高能化學激光氣的氟源，二是作為電子工業(IC)中的蝕刻   劑、清洗劑，三是應用于太陽能光電產業。

NF3其它用途：生產全氟銨鹽，用作填充氣體以增加燈泡的壽命和亮度，在采礦和火箭技 術中用作氧化劑等。

 三氟化氯    CIF3   7990-91-2

三氟化氯（CIF3）是一種綠色、高效的環保氣體，GWP值為零，在芯片制程中是理想的LPCVD清洗氣體。

三氟甲烷     CHF3  75-46-7    6N   

一種無色、微味，不導電的氣體，是理想的鹵代烷替代物。三氟甲烷可用作超臨界萃取法溶劑、低溫制冷劑。及作為滅火劑和制造四氟乙烯的原料，電子工業等離子體化學蝕刻劑及氟有化合物的原料。用作低溫致冷劑及作為滅火劑和制造四氟乙烯的原料。用作低溫（-100℃）制冷劑，電子工業等離子體化學蝕刻劑及氟有機化合物的原料。

 二氟甲烷     HFC-32  75-10-5

二氟甲烷是一種擁有零臭氧損耗潛勢的冷卻劑。二氟甲烷與五氟乙烷可生成一種恒沸混合物（稱為R-410A），用作新冷卻劑系統中氯氟碳化合物（亦稱為Freon）的代替物，主要是替代HCFC-22，作復配中低溫混合制冷劑。雖然它是零臭氧損耗潛勢，但它有高全球變暖潛能，以每100年時間為基礎，其潛能是二氧化碳的550倍

一氟甲烷　 CH3F  593-53-3

作為Si3N4 的各向異性刻蝕氣體，對SiO2及Si有較高選擇比，在最前端微細結構的刻蝕制程中受到關注，用于3D NAND、DRAM以及Fin-FET半導體器件的制造。

 五氟化磷    F5P  7647-19-0  

五氟化磷是一種常用的半導體刻蝕氣體，經常被用于硅基材料的刻蝕和表面處理。它可以快速地從材料表面移除有害的氧化物和有機污染物，同時也能夠改變半導體表面的化學和物理特性。

全氟異丁腈  C4F7N 42532-60-5  

4710是SF6的環保型替代物，應用于電力設備絕緣和電弧淬滅，它具有優秀的絕緣性能，使用溫度區間寬，相比于SF6可以顯著減少對環境的影響。

?在一定壓力下，純Novec 4710氣體的相對介電強度比SF?大兩倍。這種SF?替代品，與惰性氣體混合時全球變暖潛能值也低，而且臭氧消耗潛能值為零。與SF6相比，這兩個方面在減少環境影響方面具有重大意義。4710氣體不可燃，用于設計用途時，工人享有很高的安全系數。

六氟丁二烯    685-63-2  C4F6  

六氟丁二烯，也稱為全氟丁二烯，簡稱HFBD，分子式為C4F6。六氟丁二烯是一種合成樹脂和含氟物質的重要單體，也可作為蝕刻氣應用于半導體行業，具有選擇性好、精確度高等優點。此外，相對于傳統的全氟烷豎類(PFCs)蝕刻氣，六氟丁二烯可應用于高深寬比工藝過程中，對大氣和環境的污染相對較小。隨著半導體行業的快速發展及當今世界越來越高的環境要求，以相對環保的材料替代廣泛使用的PFCs已成為大勢所趨。

八氟丙烷  C3F8     76-19-7  

在半導體工業中，八氟丙烷用作等離子蝕刻材料；在醫學中，八氟丙烷可用于玻璃體視網膜手術后填充物及超聲造影劑；八氟丙烷還可用于制作制冷混合物。        

八氟環丁烷    115-25-3

主要應用于高壓絕緣，大規模集成電路蝕刻，制冷劑，氣溶膠，電子清洗劑，噴霧劑，熱泵工作流體。

含氟激光氣        

四氟化碳  CF4  75-73-0

四氟化碳是目前微電子工業中周量最大的等離子體蝕刻氣體，廣泛用于硅、二氧化硅等薄膜村料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術等方面也有大量應用。

六氟化硫  SF6 2551-62-4  

電子級高純六氟化硫是一種理想的電子蝕刻劑，被大量應用于微電子技術領域。冷凍工業作為致冷劑，致冷范圍可在-45℃～0℃之間。電氣工業利用其很高介電強度和良好的滅電弧性能，用作高壓開關、大容量變壓器、高壓電纜和氣體的絕緣材料。

氟氮混合氣

氟氮混合氣是精細化工領域的重要原料，其廣泛應用于電子、激光技術、醫藥塑料等領域，可用于玻璃浸蝕、金屬材料、管道的表面鈍化處理等。

六氟乙烷 C2F6  76-16-4

1.用作絕緣氣、等離子蝕刻劑, 高介電強度泠卻劑。

2.用于微電子工業中作等離子蝕刻氣體以及器件表面清洗、光纖生產、低溫制冷。

六氟乙烷因其無毒無味、高穩定性被廣泛應用在半導體制造過程中，例如作為蝕刻劑( Dry Etch).化學氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition)后的清洗腔體。特別是隨著半導體器件的發展，集成電路精度要求越來越高，常規的濕法刻蝕不能滿足0.18~0.25um的深亞微米集成電路高精度細線蝕刻的要求。而六氟乙烷作為干法蝕刻劑具有邊緣側向侵蝕現象極微、高蝕刻率及高精確性的優點，可以極好地滿足此類線寬較小的制程的要求。特別是當接觸到孔徑為140nm或更小的元件時原先的八氟環丁烷無法起到蝕刻作用，而六氟乙烷可以在小到110nm的元件上產生一條深凹槽。另外在CVD腔體的清潔氣體領域，傳統使用的氣體是六氟乙烷和四氟甲烷CF4，同時為符合最新的制程規格和生產效率，也導入八氟丙烷CgFg和三氟化氮NF。針對以矽甲烷SiH4為基礎的各種CVD制程，作為清洗氣體，六氟乙烷比四氟甲烷更具優越性，主要表現在排放性低、氣體利用率高、反映窒清潔率和設備產出率高。